美国北卡罗来纳州立大学21日公布新闻公报称之为，该校研究人员与美国陆军研究办公室合作开发出有一种新方法，可将多铁性材料等新型功能材料构建至计算机芯片上。这一方法将有助未来生产出更轻盈、智能的电子设备和系统。

　　一些新型功能材料，如具备铁电和铁磁性质的多铁性材料、表面有导电性能的流形绝缘体及新型铁电材料等，在传感器、非易失性存储器及微机电领域有很好的应用于前景。但这些材料目前面对的一个难题是，至今它们都无法被构建到硅芯片上。

　　此次，美国研究人员研发出有一种被称作薄膜外延法的新方法。他们设计了两种可与硅相容的板层氮化钛板层和钇平稳氧化锆板层，作为相连新功能材料与有所不同电子产品硅芯片的底层基质（平台），然后利用其研发的一套缓冲器薄膜，将功能材料与硅芯片构建在一起。这些薄膜一面与新型功能材料的晶体结构融合，另一面与底层基质融合，从而起着有效地的相连起到。

研究人员称之为，构建的功能材料有所不同，所用于的薄膜人组也有所不同。比如，构建多铁性材料不会用于氮化钛、氧化镁、氧化锶和镧锶锰氧化物这4种类型的薄膜人组；而构建流形绝缘体则仅有不会用于氧化镁和氮化钛两种薄膜。　　研究人员回应，将新型功能材料与硅芯片构建，不会使很多过去指出不有可能的事沦为有可能。如仅用一个灵活的芯片才可已完成数据观测、收集、处置任务，这有助设计出更高效、轻盈的设备。

此外，有了这一方法，还可解决目前发光二极管（LED）所用蓝宝石衬底无法与计算机设备相容的难题，在芯片上创立LED，设计出有智能灯。　　新闻公报中称之为，研究人员已为此项构建技术申请人了专利。

涉及研究成果刊登在《应用于物理评论》期刊上。　　硅芯片生产工艺于是以迫近物理无限大，为符合摩尔定律快速增长拒绝，要么找寻仅有新材料替代硅石墨烯、二硫化钼或者单原子层锗，要么创意方法来扩展硅芯片的能力将更加符合要求的新材料高效构建在硅衬底上。

互为较而言，几乎替代原先技术路线，不仅必须大量资金投入，产业充份竞争和协作也必不可少；在成熟技术上深部挖潜，成本虽然较低很多，却无法带给翻天覆地的全新业态。好在科技进步不同于政治更替，革命派和改良派都有一点充份认同。

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